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近一段時(shí)間，由“華為事件”引發(fā)了一系列國人深思，凡是采用美國設(shè)備的代工廠如果給華為代工必須要經(jīng)由美國批準(zhǔn)，嚴(yán)重來說，這基本就堵上了華為芯片的自研制造之路。其實(shí)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)鞘珠L的，由于半導(dǎo)體復(fù)雜的特性，不管是研發(fā)還是制造，幾乎每個(gè)環(huán)節(jié)都需要專業(yè)且精密生產(chǎn)設(shè)備輔助，但是，通常這些設(shè)備的核心技術(shù)都被美、日兩國所把持，尤其是美國公司幾乎可以囊括整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，同時(shí)，價(jià)格十分昂貴。
雖然就近階段來說，任何一個(gè)國家都不可能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈所有環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化，但是據(jù)國情來說，中國還是不同于西方陣營的那些國家，他們可以互相依賴、取長補(bǔ)短，而我們中國長久以來都被所謂的瓦森納協(xié)議所約束，求人不如求己的現(xiàn)狀逼迫我們不得不自力更生，期待能最大限度地杜絕科技壟斷，受人挾制風(fēng)險(xiǎn)。
那么半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中會用到哪些設(shè)備呢？國內(nèi)又有哪些企業(yè)設(shè)備以及在逐步發(fā)力了呢？
半導(dǎo)體設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造和封測流程，分為晶圓加工設(shè)備（核心為光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備）、封裝設(shè)備和檢測設(shè)備。國內(nèi)設(shè)備公司迎來了國產(chǎn)替代的關(guān)鍵機(jī)遇，目前，在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測設(shè)備等領(lǐng)域，在奮力追趕途中已經(jīng)并取得了一定成績。
比如，清洗設(shè)備、后道檢測設(shè)備有望率先突破， 建議關(guān)注日聯(lián)科技，早在06年推出全自動鋼網(wǎng)清洗機(jī)，專注X-ray成像檢測設(shè)備超過18年，微米級射線技術(shù)等，填補(bǔ)了多項(xiàng)國內(nèi)技術(shù)空白。
再如，晶圓加工核心設(shè)備，在國家大力支持與企業(yè)持續(xù)不斷的研發(fā)投入下，具備研發(fā)實(shí)力的公司一旦突破核心技術(shù)，就有望享受到巨大的市場紅利，建議關(guān)注上海微電子所，即將推出的28納米的光刻機(jī)，雖說距離ASML的已經(jīng)可用于5nm、3nm的EUV光刻機(jī)相差巨大，但已經(jīng)是巨大的進(jìn)步了。
雖然，大部分半導(dǎo)體設(shè)備距離世界先進(jìn)水平還有較大的差距，但值得慶幸的是在各個(gè)環(huán)節(jié)我們中國都已經(jīng)開始發(fā)力，相信未來幾年，國產(chǎn)化替代是趨勢所在，技術(shù)突破由易到難，相信中國最終會實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈所有環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化。
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